WebApr 11, 2024 · 除了优质的SiC功率半导体产品外，芯塔电子碳化硅应用设计方案能力同样突出，可以帮助客户更好和更高效地推出使用碳化硅的电力电子终端产品。 产品已经导入军工、新能源车、直流充电桩、光伏储能、数据中心电源和消费电子等诸多领域，性能和可靠性获得客户的一致好评。 WebFeatures. Power loss is reduced by approx. 21% compared to silicon (Si) products, contributing to energy conversion. The SiC-SBD allows high frequency switching and contributes to downsizing the reactor, heat sink and other peripheral components. JBS structure allows high forward surge capability and contributes to improving reliability.

平面结构4H-SiC BJT击穿特性及终端技术研究_参考网

WebROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的这些产品将有助于应用的小型化并提高模块的性能和可靠性。 另外，Apex Microtechnology的功率模块系列还采用了ROHM的栅极驱动器IC“BM60212FV-C”裸芯片，这使得高耐压电机和电源的工作效率更高。 Web扬杰科技 300373：公司是国内少数集半导体分立器件芯片设计制造、器件封装测试、终端销售与服务等产业链垂直一体化（idm）的杰出厂商。产品线含盖分立器件芯片、mosfet、igbt&功率模块、sic、整流器件、保护器件、小信号等，为客户提供一揽子产品解决方案。 biology outlook

JTE终端碳化硅肖特基势垒二极管的设计与实验 - 豆丁网

Websbdとsic SBDには、順方向電圧が小さい、逆回復がいらない、といった優れた面がある一方で、逆耐圧が取れない、漏れ電流が多いなど短所もあり、長短はっきりしていて、シリコン(Si)のSBDには使いづらい点がありました。 Web平面结构4h-sic bjt击穿特性及终端技术研究,中文杂志在线阅读网站，收录3000余种刊物，过期杂志阅读首选平台。 登录/注册 安卓版下载 http://chinaaet.com/article/3000090867 biology osmosis required practical